产品特性
6月12日音讯，日本半导体设备大厂东京电子（TEL）宣告，其等离子体蚀刻体系的开发和制作基地现已开宣布一种立异的通孔蚀刻技能，可以适用于堆叠超越400层的先进3D NAND Flash闪存芯片。开发团队的新工艺初次将电介质蚀刻使用带入低温规模，然后打造了一个具有极高蚀刻率的体系。
据介绍，这项立异的技能不只能在短短33分钟内完结10微米深度的高纵横比蚀刻，缩减了耗时，并且蚀刻结构的几许形状适当显着，也有助于制作更高容量的3D NAND闪存芯片。
东京电子还供给了蚀刻后的相关图画，展现了开发的效果。这中心还包含显现了蚀刻后通孔图画的横截面SEM图画，以及孔底的FIB切开图画，其他的还有东京电子的3D NAND闪存芯片的一个事例。
东京电子预告称，开发该项技能的团队将于2023年6月11日至6月16日，在京都举办的2023年超大规模集成电路技能和电路研讨会（2023 VLSI）上宣布最新的研讨效果陈述。据悉，VLSI是最负盛名的世界半导体研讨会议之一，使用这一时机，东京电子将展现为半导体技能立异和全球环境所做的尽力。
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