产品特性
是一种以BGA技能为根底，又经过改善的CSP先进电子封装技能。其首要特色是封装与测验均直接在晶圆切开前完结。依据引线办法不同，又将其分为扇入式（Fan-In WLP/WLCSP）、扇出式（Fan-Out WLP/FOWLP）。与传统封装技能比较，晶圆级封装的本钱更低、散热性更好、体积更小。除此之外，晶圆级封装的另一个长处是作业进程选用批次性处理办法，晶圆尺度越大时，芯片封装的功率就越高，封装本钱也就越低。
扇入式封装（Fan-In WLP/WLCSP）：彻底遵从晶圆级封装的根底工艺流程，封装作业完结时，芯片与封装体面积尺度份额为1：1，适用于低I/O数量以及芯片尺度自身较小的工艺。
扇出式封装（Fan-Out WLP/FOWLP）：因为该类封装需经过RDL的办法将部分Bump引脚拓宽至芯片外围，故需求先对晶圆进行划片切开，将独立裸Die从头布局至新的晶圆内（重构晶圆），由Molding工艺构成新的封装体，再经过从头布线及Bumping工艺，完结引脚外延以到达包容更多I/O的意图。
下文将以1P1M/Solder bump结构为例，简略阐明晶圆级封装的工艺流程。在此之前，先对相关专业术语进行如下阐明：
依据已知的1P1M/Solder bump工艺要求，由内向外顺次逐层依照工艺流程进行作业：
意图：1. 将掩膜版图形转移至晶圆外表，取得溅射种子层（UBM）所需的CD开口。
工艺原理：经过在Wafer外表涂覆PSPI后，进行紫外线曝光，在特定光线经往后，胶体特性发生改动，再经过显影-固化工艺，取得所需求的CD开口方位。
特别注意的是，这儿运用的PSPI为一般所说的光刻正胶（Positive Photoresist），其特性是经过曝光后，在遭到光照的方位特性发生改动，其他方位不受影响，显影操作后，溶解光照方位，在其他方位构成所需图形，然后到达工艺意图。
与之相反，光刻负胶（Negative Photoresist）则是保存光照方位，显影后溶解其他方位，到达工艺意图。
●经过光阻喷嘴将光刻胶悄悄涂布在晶圆中心方位后，真空吸盘带动晶圆缓慢滚动;
●施胶到达标定胶重后，由转轴带动吸盘逐步加快，运用离心效果将光刻胶旋涂均匀，直到布满整片晶圆;
●因为离心力的效果，晶圆上剩余光刻胶会集合在晶圆的边际部分，构成带有必定高度的污染，导致后续工艺难度添加，故需求运用有机溶剂进行晶圆洗边及背洗操作;
●涂布作业完结后，运用真空加热块进行前烘烤以预热光刻胶，去除光刻胶中的水分，并添加与晶圆之间的附着力。
1. 影响光刻胶厚度的首要要素是转速和光刻胶的黏度，黏度越高，转速越低，光刻胶的厚度就越厚。
2. 文中所列涂覆办法为湿膜光刻胶的作业流程，而实践生产中，除湿膜光刻胶外，干膜光刻胶也具有广泛的运用场景。干膜光刻胶一般运用办法可选用压膜机一次成型，并且显影流程不需求运用显影液，可大起伏削减处理时刻和本钱。关于部分规划中含有孔洞的产品来说，干膜光刻胶不会侵入孔洞内部，具有便于整理的优点。但反过来考虑，湿膜光刻机又具有分辨率高，价格本钱低价，显影与刻蚀速度更快等优势。
●特定波长紫外光穿过掩膜版及缩图透镜后，照射在晶圆相应方位，依据掩膜版的图形改动晶圆外表部分光刻胶的特性。
●PSPI工艺中，显影后需运用多段式时温曲线进行烘烤固化操作去除水汽，并使保存光刻胶与晶圆更好的结合在一起。
意图：经过溅射工艺，在晶圆外表构成一层具有不同高度、不同类型，且契合制程要求的金属薄膜，即为后续电镀工艺衬托的种子层（UBM）。
工艺原理：依据物理气相堆积原理，经过将高纯度的金属资料置于真空室中，然后运用离子束、电子束或许高能粒子来碰击金属资料外表，使其发生溅射，发生很多细小的金属颗粒，这些颗粒会堆积在晶圆外表上并逐步构成金属薄膜。
特别注意的是，在履行溅射工艺操作之前，需求先对晶圆进行清洗作业，以去除晶圆外表来料时或许带着的沾污，并消除潜在环境静电危险。清洗后仍需求在氮气环境下进行烘烤，以去除水汽对溅射作业时的影响要素。
意图：PR光刻与第一层PI光刻效果相似，在UBM层上方电镀铜层的首要意图是使其作为焊盘的资料，用于衔接芯片和外部电路板。该层铜资料一般具有杰出的导电性和牢靠的焊接特性，可以有效地进步芯片的衔接牢靠性和耐久性。一起，铜资料还可以进步芯片的散热才能，然后有效地下降芯片的温度和功率耗费。
●PR光刻：与第一层PI光刻相似，但因为后续工艺为铜层电镀，所以工艺中将正胶替换为负胶，在曝光显影后无需进行固化，而是在电镀后进行去胶操作;
●电镀：在UBM层上方涂覆一层导电漆，一般被称为钎料，用于芯片与外部电路板之间的衔接。然后，将晶圆浸入含有铜离子的电解液中，并将钎料作为阴极，使铜离子在钎料外表复原，构成一层均匀的铜层。
●完结电镀作业后，显影所预留的用于结构成型的光刻胶依然处在晶圆外表，故需求运用药液喷淋的办法进行除胶，以去除剩余的光刻胶，药液除胶完结后仍需清洗晶圆外表，以彻底清除剩余胶丝、沾污等外表杂质，下图为除胶完结后外表状况。
●针对电镀后或许会呈现的剩余UBM，一般需求运用腐蚀工艺去除。去除办法一般是运用化学溶液，将剩余的UBM资料溶解掉，以确保焊盘的形状和尺度契合要求，到达工艺意图，下图为腐蚀完结后外表状况：
意图：在焊盘处焊接solder Bump或铜柱Bump，用来做后续Flip Chip工艺衔接基板电路的焊点。
工艺原理：在焊盘方位涂覆助焊剂，在其对应方位放置锡球，运用Reflow将锡球焊接至焊盘方位。
意图：依照详细产品的工艺要求，将晶圆磨划至需求厚度，然后将处理完结的晶圆经过切开，别离成独自的制品芯片。
2. 反面磨片，依据工序需求，运用对应参数的磨轮进行反面研磨及抛光（部分产品无需抛光）;
5. 切开划片，将晶圆沿切开道进行切开，使晶圆别离成为独自的一颗颗芯片。
耸峙芯创作为除泡品类开创者，深耕半导体先进封装技能20余年，专心处理半导体先进封装中的气泡问题，供给多种制程工艺中的气泡全体处理方案。对Mini/Micro LED、芯片贴合Die Attached、灌注灌封IGBT Potting、底部填胶underfill、点胶封胶Dispensing、OCA lamination等工艺具有老练运用经历。
耸峙芯创以中心的暖流和气压两大技能，继续自主研制与制作除泡品类系统，专心提高良率助力工业开展，专业供给供给半导体工业先进封装范畴气泡处理方案，现已成功赋能半导体、轿车、新能源、5G/IoT等细分范畴。
